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元件参数资料
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参数目录42288
> DMN3112SSS-13 MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
型号:
DMN3112SSS-13
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
DMN3112SSS-13 PDF
产品目录绘图
DMN Series Top
DMN Series Side 1
DMN Series Side 2
标准包装
2,500
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
57 毫欧 @ 5.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) @ Vds
268pF @ 15V
功率 - 最大
2.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装
8-SOP
包装
带卷 (TR)
其它名称
DMN3112SSSDITR
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